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二维Cs2Pb（SCN）2Br2的全光驱动存储技术台湾大学化学工程学系探索了一种新颖的二维(2D)钙钛矿型光存储技术，即以Cs2Pb(SCN)2Br2/聚合物混合薄膜为浮栅的光存储技术。在互联网和云计算的蓬勃发展的大数据新时代，对存储设备的高存储性能要求也越来越高了。如需更快的数据处理速度、更低的功耗、易处理性等。由于传统的电编程存储设备不足以满足这些要求，许多研究试图利用光作为全部或部分替代电作为驱动力。因此，光存储设备应运而生，通过将光辐射转化为电信号，光存储设备不仅实现了具有简化设备结构的非接触式写入，而且极大地缩短了响应时间至1ns；同时，它还增强了电编程存储设备的性能。目前，开发的大部分晶体管型光电设备仍必须部分地依赖电偏置来执行完整的写(编程)-读-擦-读(WRER)开关功能。因此，节能和加速处理都有一定的局限性。为了满足下一代存储设备的需求，迫切需要开发能够在不需要垂直电场的情况下在不同状态间迅速切换的全光驱动光电设备。基于二维钙钛矿材料的光存储技术，通常采用由钙钛矿/聚合物混合组成浮栅的晶体管型存储结构，该结构现已被开发出来，且能够实现较长的保留时间，因此引起了广泛的研究关注。由于空间环境，钙钛矿纳米晶（NCs）嵌入在聚合物基体中，可作为电荷俘获位点来隔离电荷，而相关的俘获/解俘获机制可以通过施加电场或使用光子来实现。在此基础上，本文探索了以Cs2Pb(SCN)2Br2/聚合物混合薄膜为浮栅的光存储技术。2DCs2Pb(SCN)2Br2材料具有量子阱结构，不仅有良好的光响应性，而且有良好的环境稳定性。因此，用2DCs2Pb(SCN)2Br2NCs代替典型的3D钙钛矿作为浮栅中的电荷俘获位点，是一个有说服力的理论基础，有助于新型存储器的研制。此外，对聚苯乙烯（PS）、聚4-乙烯基苯酚（PVPh）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）三种具有不同官能团的聚合物进行了系统的研究。值得注意的是，在基于二维Cs2Pb(SCN)2Br2的光存储设备中显示了两种具有完全不同光响应的存储器性能。对于相应PS的混合光存储，光恢复机制是由特定的光（波长为450nm的蓝色激光）驱动的，而去除光照后，电流明显下降。此外，用PVPh（含羟基）取代PS，以增强聚合物的电子亲和力，从而成功地扩展了光记录104s的长期储存性，具有106的高开/关电流比。除了在PS混合和PVPh混合光存储设备中观察到的光诱导恢复外，全光驱动在PVP混合设备中，通过微调两个特定的光源，可以在两个可区分的状态之间切换捕获/去捕获状态。基于这一独特的光存储器，本文提出了一种合理的机制，用于全光驱动的写(编程)-读-擦-读(WRER)开关功能。鉴于所制备的光存储器件具有稳定的检测能力和数据可分辨性，本工作有望为器件设计提供重要的指导，为下一代存储器件的材料选择开辟广阔的空间。更重要的是，这项工作研究的全光学驱动装置的理论机理，揭示了全光学驱动光存储的光明前景。【文章链接】Two-DimensionalCs2Pb(SCN)2Br2-BasedPhotomemoryDevicesShowingaPhotoinducedRecoveryBehaviorandanUnusualFullyOpticallyDrivenMemoryBehaviorMing-YunLiao,Yun-ChiChiang,Chiung-HanChen,Wen-ChangChen,Chu-ChenChuehACSAppliedMaterials&Interfaces,2020-07-23DOI:10.1021/acsami.0c10587