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电路仿真软件multisim

小玉2023-07-05软件使用 266人已围观

简介公司产品大部分都不需要仿真,所以仿真软件没用几次,主要使用Multisim和Proteus,感觉Multisim仿真模拟电路有优势些,Prote

电路仿真软件multisim

最后更新:2023-07-05 00:40:07

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公司产品大部分都不需要仿真,所以仿真软件没用几次,主要使用Multisim和Proteus,感觉Multisim仿真模拟电路有优势些,Proteus仿真数字电路较好,还可以仿真运行单片机程序。如果只是简单的电路仿真,这两款上手都不难,如果涉及到建模,听说很麻烦,我没试过。昨天,一位大四即将毕业的头条粉丝看到我分享的multisim仿真电路之后找到了我。他的毕业设计的题目是改进由其导师申请了专利的一个电路,以增加其抗静电和抗电磁干扰的能力。他对multisim仿真软件不熟悉,希望能从我这里得到一些协助。看到小伙子态度很诚恳,我就加了他的wx,并详细了解到了一些背景。附图1是他的导师申请了专利的电路,至于是干什么的,打死我我也不会说。反正就是在空闲状态时,必须要保证电容C1被光耦继电器J4的常闭输出的绝对短路。以及R1、J3构成回路被光耦继电器J1的绝对短路。了解完之后,我给了他以下建议:通过以下方法对短路保护电路的可靠性做分析:1) DFMEA(设计失效模式分析),如附图2。2)WCCA分析(最坏情况电路分析)3)Multisim仿真根据DFMEA的分析,我提出了以下的改进意见:对于短路保护功能,可能存在电容C1的短路保护失效;每一种失效模式都可能导致不同的失效后果,并由不同的原因造成。根据对每一种情况的后果的严重性、发生频度、可探测度进行评估,并得到RPN值,得到以下几种失效模式需要产生措施:1) 单片机上电时的未确定的高阻状态2) 单片机程序跑飞而在IO口输出未预期的电平3) 静电、电磁干扰、漏电流导致光继电器的误触发4) 静电、电磁干扰导致光继电器次级的MOSFET击穿损坏综合考虑之后,对电路进一步改进:1) 在光继电器初级的两端并联电阻以及100nF瓷片电容,其中电阻提供泄流通路,避免静电、电磁干扰、漏电流流入初始,导致LED误发光而触发。2) 单片机IO口改成输出周期性的方波信号,再由隔直电路、峰值检测电路得到直流之后,经过NPN三极管构成的射极跟随电路驱动光继电器,当单片机跑飞输出持续的高或者低电平时,都不能驱动继电器,只有当单片机输出指定频率段的方波时,才能驱动继电器;当需要触发时,需要在在单片机的主程序的定时事件中通过P0.1以及P0.4输出方波信号,以断开短路回路同时闭合触发回路。单片机跑飞的情况下,并不能定时输出方波信号,保证了即使单片机程序跑飞,也不会误触发。3) 在光继电器的次极并联100nF瓷片电容,以有效过滤高频的电磁干扰以及静电,避免造成光继电器次级的MOSFET击穿损坏。针对以上改进措施,我用multisim初步设计了一个电路图,如附图3。今天晚上,我把dfmea分析表格,整理好的几段文字以及multisim仿真文件发给了该粉丝,我想我所列的这些内容稍微扩展之后,作为本科毕业论文已经足够了。将PWM信号利用傅里叶级数展开,得到附图2的傅里叶级数的展开表达式。式中,U为高电平电压,α为PWM信号的占空比。当α为50%,高电平U=1V时,我们得到了为了验证计算的正确性,我们可以采用multisim仿真软件对PWM信号进行FFT,将得到的结果与手工计算的结果进行比如。确保对傅里叶级数展开的正确性。步骤如下:1)打开multisim仿真软件,从"sources"中选择时钟电压源,,并将其电压设置为1V,占空比设置为50%。2)点击"simulate"=>"analysesandsimulation",3)在弹出的对话框中选择fourier并设置相应参数,基频设置为PWM的频率1500Hz,谐波次数设置为9次,根据奈奎斯特采样定律,采样频率需要大于两倍的信号频率,9次谐波的频率为9*1500Hz,选择采样频率为150000Hz.4)点击"output"设置页,并选择时间时钟源的电压V(1)作为需要分析的变量。5)点击"run",multisim输出分析结果报告。经比对,与手工计算结果完全一致。

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