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【博雅科技IPO：中低端存储芯片掘金之路能走多远？产品单价四毛八研发费用5成用于职工薪酬核心人员跳槽】 公司虽然也身处芯片设计行业，但其主要收入来源于NORFlash中低端市场产品，具有毛利率低、单价低的特点，国际巨头为适应市场对NORFlash芯片的性能和功能迭代速度的需求，则纷纷退出了这一市场。而博雅科技拾起巨头们“放弃”的行当，若无法推出适应市场需求的新技术、新产品，这条路还能走多久？金融界金融界网站官方账号巨头走了博雅科技来了中低端存储芯片掘金之路能走多远？我们的稀土，不应该再向美国出口了。青谭论国际新闻记者突破美国芯片制裁！中企“秘密武器”已经开始出货，并逆袭3大巨头。与此同时，为了突围，中国大陆将大力吸引台湾顶尖人才，并邀请科技巨头共同参与半导体芯片设计工作。而在另一方面，美国施压“盟友”共同封杀中国大陆却遭到荷兰拒绝，让美国急跳脚，双方关系也恐生变。 美国商务部10月初宣布新一轮半导体技术销售中国禁令，中企长江存储128层以上的3DNAND设备遭断供，但根据加拿大半导体分析与IP服务机构TechInsights报告，长江存储首款232层3DNANDFlash产品已经成功量产，是首个进入零售市场的超过200层堆栈3DNANDFlash产品，领先于三星、美光、SK海力士等大厂。 外媒报道指出，长江存储这款产品品名为X3-9070，已被海康威视CC7002TBSSD固态硬盘采用。 根据长江存储介绍，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的输入/输出速度，其传输速率达2400MT/s，与上一代产品相比性能提高50%。此外，X3-9070受惠于Xtacking3.0架构，是该公司有史以来储存密度最高的闪存。 值得关注的是，今年包括美光、SK海力士和三星等，都相继推出200层堆栈3DNANDFlash闪存解决方案，美光最早在5月就宣布推出业界首款232层产品，预计年底生产。SK海力士8月也公布成功研发首款238层堆栈NANDFlash闪存，并送样合作伙伴。三星则在1月宣布开始大规模生产第八代V-NAND芯片，堆栈层数达236层。 不过美方禁令仍对长江存储造成冲击，外媒披露，苹果原本想向长江存储购买128层3DNAND闪存芯片，但此计划目前已生变，苹果转而向韩企三星电子购买记忆芯片，未来三星将承担高达40%的iPhone内存出货量。 市场研究公司Canalys分析师BenYeh说，如果美国继续管控高阶芯片出口至中国大陆，中国大陆半导体业面临长期挑战，可能会竭尽所能获得先进芯片和技术。 台湾在半导体产业上占有关键地位，晶圆代工龙头厂台积电2奈米制程预计在2025年量产，香港《南华早报》分析指出，台积电先进制程进展顺利，中国大陆为了突围，预料透过吸引人才、像台湾那样建立“国际供应链联盟”，以及透过积极推展研发等方式向台湾学习。分析师预估，预料大陆企业未来挖角台湾顶尖人才，以利用台湾的人才库缩短先进制程的学习曲线。 另一方面，中国政府为应对以美国为首的拑制，已经邀请国内科技巨头阿里巴巴和腾讯共同参与半导体芯片设计工作，RISC-V架构将成为中企突围的出口。 同时，中国也从美国的盟友寻求“破口”。据外媒报道，美国政府发布芯片禁令之后，更敦促盟国跟进制裁，但拥有最强半导体设备厂艾司摩尔（ASML）的荷兰，先前已经表态会在此问题上自己做决定，表示“要捍卫自己的利益，捍卫国家安全也要捍卫经济利益。”并强调中国是“重要贸易伙伴”。美国媒体《CNBC》分析指出，美国持续施压荷兰要求其遵守规则，目前荷兰的态度让美国心焦难耐。也引发外界关注，未来荷美关系是否生变。神笔马良#我的音乐2021##我的年度金曲#FlashBeatsBone《ShenBiMaLiang》ShenBiMaLiang-FlashBeatsBone-单曲-网易云音乐（@网易云音乐）【日本SNS等社交媒体热议第100任日本首相岸田文雄所戴“33万日元”的手表是贵？还是便宜?】随着本月4日岸田文雄正式就任日本第100任首相，岸田佩戴的价值约为33万日元的”精工astrong手表”也引发热议，甚至还夹杂一些非议。不过据报道媒体“SmartFLASH“向手表厂家精工确认后，对方则表示”因涉及个人信息，所以无法回应是否是精工限量版的astrong品牌”。据悉，在确认了岸田佩戴的腕表的照片后，该媒体推测可能是全球限量7000块的精工astronSBXB001，首款为1969年发售，2012年搭载了GPS，与一般电波表不同，即使在无电波的地方也能根据GPS信息自动修正时间，岸田佩戴的款式为2014年发售，当时价格为30万日元，加上8%的消费税，合计约为33万日元。“光买这个手表的钱，就超过了3个人的新冠特别补贴津贴”、“33万日元能当上一个国家的首相，不是很便宜吗”、“反过来说也可以印证岸田首相除了这块手表的价格以外，似乎没有可以骂的地方”等众说纷纭。也有替岸田首相辩解的说辞：认为33万日元很难界定手表是属于贵还是属于便宜，但有一点不容置疑——岸田佩戴的不是海外的高级手表，而是日本三大手表品牌之一的“精工”，从“呼吁使用国货”的角度，岸田似乎正在做出表率。不过日本人崇尚“草根梦”，什么安倍前首相吃过3500日元一份的猪排咖喱，菅义伟前首相吃过3000日元一份的薄饼等等，不一而足，庶民阶层对政治家的平民感觉其实是非常敏感的。笔者认为岸田佩戴33万日元的手表不算贵，充其量算是中等，可能网友们实在找不出其有什么瑕疵，干脆瞄准这个发难一下吧！利用200mm晶圆工艺平台集成制备的高性能自旋轨道矩MRAM器件磁性随机存取存储器（MRAM）作为一种新兴的非易失性存储器，具有高读写速度、高续航能力、长存储时间和低功耗等特点。近年来TSMC、SAMSUNG、GlobalFoundries等大型半导体厂商也在MRAM领域积极布局。一方面传统的嵌入式闪存（e-flash）是基于先擦除后写入的方式，每个擦写单元的擦除次数有限，会因为擦除次数过多而被磨损，进而影响整个e-flash的生命周期，同时e-flash在28nmCMOS技术节点以下成本过高。相比之下MRAM具有可实现近乎无限次写入的优势，成本较低，因此，MRAM成为替代e-flash的重要解决方案。另一方面，MRAM也可替代SRAM以解决先进CMOS节点的潜在漏电问题。然而，目前比较成熟的Toggle-MRAM和自旋转移矩MRAM（STT-MRAM），由于写入速度限制和可靠性问题，很难取代L1或L2缓存。为了解决以上问题，研究人员提出了在三端器件中读写路径分离的自旋轨道矩MRAM（SOT-MRAM），从本质上解决了高写入电流导致的读错误和隧道结老化问题。目前SOT-MRAM在业界仍处于研发阶段，并且在晶圆级制造中仍面临着一些挑战。这些挑战主要来自于以下两个方面：（1）SOT-MRAM器件结构采用顶钉扎的结构，重金属（SOT层）与后段工艺（BEOL）介质相邻，衬底的粗糙度严重影响上层重金属层和磁隧道结（MTJ）膜堆的磁学性能和电学性能，这就使得BEOL工艺与SOT-MTJ器件的集成具有较大挑战；（2）由于SOT-MRAM器件的底电极很薄（通常5nm左右），如何控制MTJ刻蚀精准停止在底电极层（保证刻蚀工艺对底电极和MTJ的损伤最小）也是一项巨大的挑战，同时刻蚀深度均匀性直接影响晶圆级器件性能均匀性的分布。图1.SOT-MRAM器件结构及工艺流程图。针对上述挑战，本工作通过调整BEOL工艺后衬底的粗糙度，成功实现了BEOL与SOT-MTJ器件的集成，并通过调整刻蚀工艺参数使得MTJ刻蚀精准停止在底电极层，保证了晶圆内器件的短路率低于5%，同时刻蚀对MTJ的损伤较小。最终成功制备了8英寸晶圆级可实现无场翻转的高性能SOT-MRAM器件，并对器件的磁学和电学性能（单器件和晶圆级）进行了系统的测试。器件各项指标与台积电2022年7月在VLSI会议上报道的8KbSOT-MRAM器件性能相当，在国内外处于领先地位。具体的，本工作首先测试了单器件的磁学和电学性能，在R-H和R-V测试中，器件TMR达到100%；晶圆级器件性能的均匀性RSOTsigma~18%，TMRsigma~7%，JSWsigma~20%；器件短路率小于5%，Rap和Rp阻值间距~5Rpsigma，满足存储器对器件的读写要求。在改变MTJ长轴大小时，发现器件翻转电流随长轴增大而逐渐增大，利用分流模型成功解释了器件翻转电流和MTJ尺寸的依赖关系。同时测试了器件翻转电流与电流脉宽之间的依赖关系，得到器件的原始翻转电流JC0~±38MA/cm2；在器件的耐久性测试中，写入1010次电流后，测试器件底电极电阻、P态电阻和AP态电阻变化小于1%，具有良好的耐久性；利用磁场测得器件的热稳定因子Δ~100，退火方法测试器件在工作温度85℃下的热稳定因子Δ~55，以上结果均表明流片的器件满足十年期的存储要求。图2.SOT-MRAM器件的电学和磁学性能测试；晶圆级RSOT、MR、JSW分布图和相应的CDF曲线；P态和AP态阻值的分布图。SOT-MRAM器件在200mm晶圆工艺平台的成功集成，为SOT-MRAM的产业化提供了一条可行的途径。致真存储研发团队在此工作的基础上已经完成小容量SOT-MRAM的8英寸测试片流片工作，预期在年底会进行128KbSOT-MRAM工程片流片。Integrationofhigh-performancespin-orbittorqueMRAMdevicesby200-mm-wafermanufacturingplatform#传媒大家说#【合肥连发雷雨大风、暴雨预警！现在已是黑云压城】合肥市气象台2021年07月08日07时53分发布雷雨大风黄色预警信号。未来6小时市区北部有雷阵雨，伴有雷电、大风、短时强降水天气。8时24分又发布了暴雨橙色预警信号。3小时内市区中北部部分地区降雨量将达50毫米以上。这场雨正好下在上班时分！新安晚报安徽网提醒上班族们：路上一定要注意安全！上午最好别出门了！#合肥头条#网页链接前天我的西瓜粉丝达到1000大关，加上抖音合计粉丝突破2100。我很开心。因为过百粉开始有一分钱收益，达到1000粉丝就有打赏收益[偷笑]。另外平台推荐流量扶持也大涨。昨天发了一个关于免费做公交的视频，在西瓜和头条上分别发布。结果收益突然增加了8倍，达到17.25。创了我加入中视频计划的新纪录。一个月累计收入达到100多了，距离月收入过千的flah不远了，计划春节前达到。一起加油吧友友们！iQOONeo5S和iQOONeo5SE在12月20日晚正式发布，在骁龙8Gen1旗舰芯片发布之后，还在不停的发布骁龙888和骁龙870手机，印证了网友的一句话，大概是这样说的“只有骁龙8Gen1翻车严重之后，骁龙888和骁龙870芯片才能更好的卖出去”，好像也有一定的道理，等到下半年发现骁龙8Gen2翻车更严重之后，可能骁龙8Gen1又会迎来热销高峰，你们觉得是这样子的吗？回归正题，这次的主角是Neo5S和Neo5SE，给大家汇总一下两款手机的配置及发售价吧！【iQOONeo5S】性能配置：骁龙888+增强版LPDDR5+增强版UFS3.1，同时还有Multi-Turbo5.5加成；屏幕配置：120Hz高刷居中挖孔AMOLED屏，支持1.6万级亮度调节；影像配置：后置4800万像素主摄（IMX598/OIS光学防抖）+1300万像素超广角镜头+200万微距镜头；亮点配置：独显芯片Pro，高帧率低功耗；散热配置：高导稀土散热系统；续航配置：4500mAh+66W闪充；其他配置：屏幕指纹识别、NFC、线性马达、立体声双扬声器、OriginOSOcean首发机型首发价格：8+128GB定价2699元，8+256GB定价2899元，12+256GB定价3199元；【iQOONeo5SE】性能配置：骁龙870+LPDDR4x+增强版UFS3.1，同时还有Multi-Turbo5.5加成；屏幕配置：144Hz高刷居中挖孔LCD屏，支持全局DC调光，支持60Hz/90Hz/120Hz/144Hz/智能切换；影像配置：后置采用5000万超高清主摄+800万超广角镜头+200万微距镜头；散热配置：大面积石墨板、液冷均热板；续航配置：4500mAh+55WFlashCharge；其他配置：侧边指纹识别、线性马达、立体声双扬声器、OriginOSOcean首发机型首发价格：8+128GB定价2199元，8+256GB定价2399元，12+256GB定价2599元；这两款手机，这个配置与定价，你们觉得值吗？你会在年底选择入手吗？联合国气候大会！一、联合国气候大会联合国气候变化框架公约缔约方大会第二十六次会议将于 2021 年 11 月在格拉斯哥的苏格兰活动校区举行自 1995 年以来，联合国每年都会举行一次峰会，将地球上几乎所有国家的代表聚集在一起。政治家和政策制定者聚集在一起，讨论气候目标和减排的进展。这些会议被正式称为“缔约方会议”--这就是“COP”的由来--并有 190 多个联合国成员参加，它们在 1992 年签署了《联合国气候变化框架公约》。《联合国气候变化框架公约》是世界应对气候变化的第一个重要里程碑，也是其对缓解气候变化的合作性、协调性方法的首次承诺。1997年，《京都议定书》获得通过，这是世界上第一个以减少温室气体排放为目的的条约。下个月就开气候大会了，回到国内，今天我们又发布了碳中和白皮书，政策的频繁与持续，也意味着我们的决心。这一次无疑对国内来说是一次能源革命。27日发表《中国应对气候变化的政策与行动》白皮书。白皮书介绍，作为世界上最大的发展中国家，中国实施一系列应对气候变化战略、措施和行动，应对气候变化取得积极成效。2020年，中国碳排放强度比2015年下降18.8%，超额完成“十三五”约束性目标，基本扭转了二氧化碳排放快速增长的局面。中国非化石能源占能源消费总量比重提高到15.9%，连续8年成为全球最大新增光伏市场，是全球森林资源增长最多和人工造林面积最大的国家，成为全球“增绿”的主力军。二、兆易创新：Q3大超预期，客户进展大突破！兆易创新发布三季报，大幅增长远超市场预期！公司前三季度实现营收63.30亿元，yoy+99.45%，归母净利润16.48亿元，yoy+144.9%，扣非归母净利润15.64亿元，yoy+171.8%。前三季度综合毛利率44.3%，净利率26.0%。单三季度营收26.89亿元，yoy+77.4%，qoq+32.0%，Q3归母净利润8.62亿元，yoy+178.47%，qoq+78.0%，扣非归母8.24亿元，yoy+212.1%，qoq+77.7%。亮点1：毛利率受益于产品结构及价格，环比大幅提升！Q3毛利率49.8%，较21H1毛利率40.3%提升9.5%，Q3净利率32.1%，较上半年21.6%提升10.5%。前三季度研发费用5.89亿元，同比增长73.3%，研发费用率9.3%。亮点2：分品类拆分，量价齐升趋势下，MCU增速超220%，存储亦同比大幅增长！分品类看，前三季度存储同比增长82.7%、收入增加19.34亿元，MCU同比增长222%、收入增长10.97亿元，传感器同比增长33.9%、收入增加1.13亿元；推算可得，前三季度63.3亿收入构成为存储42.72亿元、MCU15.91亿元、传感器4.46亿元；Q3单季度存储芯片业务收入同比增加约 6.51 亿元，增幅 63.69%；微控制器业务收入同比增加约 5.48 亿元，增幅 221.95%；Q3单季度收入构成为存储芯片16.74亿元、MCU 7.95亿元、传感器2.2亿元；亮点3：新品研发及应用领域推广情况1）MCU爆发式增长，国产替代正当时！在21年MCU极度缺货背景下，本就是国内32位第一的GD32全系列产品替代加速，增速超过220%，并且在手订单还在持续累积。21H1公司量产了电机驱动芯片（应用于电动工具、机器人、工业自动化三相 BLDC 和 PMSM 电机）和电源管理芯片（应用 TWS 耳机、便携医疗设备等）。此外公司也成功开发出无线产品线第一代 WIFI 产品以及第一代低功耗产品。客户方面我们跟踪了解已经突破全球前4-5家最顶尖工控客户，MCU单月出货超40kk！2）NOR Flash车规级业务进展喜人！其中GD55的2G大容量产品通过车规AECQ-100认证，产品线全面覆盖2Mb-2Gb容量，GD25系列已在多家车企批量采用！3）自研DRAM正式放量，提升空间大！已在 IPTV、安防及消费类等领域获得了DRAM 客户的订单和信任，为后续长期合作打下了坚实基础。我们跟踪来看目前公司自研DRAM单月出货在KK级别，对应晶圆产量为2000-2500片/月，22、23年预计公司在合肥长鑫产能配额有望提升至1.7万/月、3.1万/月以上，提升空间大！作者：研报直通车